Lattice polarity detection of InN by circular photogalvanic effect
Lattice polarity detection of InN by circular photogalvanic effect
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利用圆形光电效应检测 InN 的晶格极性
DOI：
10.1063/1.3186042
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发表时间：
2009-07
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Q. Zhang, X.Q. Wang , X. W. He, C. M. Yin,et al.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Q. Zhang, X.Q. Wang , X. W. He, C. M. Yin,et al.
报道了一种基于循环光电流效应（CPGE）的非破坏性、有效的InN晶格极性检测方法。由于In-和N-极性InN之间的晶格反转，不同极性的InN薄膜的能带自旋分裂相反。因此，在相同螺旋度的光照射下，在In和N极性层中的CPGE光电流将具有相反的方向，从而可以检测极性。这种方法证明了我们的CPGE测量在n型和p型InN膜。
We report an effective and nondestructive method based on circular photogalvanic effect (CPGE) to detect the lattice polarity of InN. Because of the lattice inversion between In- and N-polar InN, the energy band spin splitting is opposite for InN films with different polarities. Consequently under light irradiation with the same helicity, CPGE photocurrents in In- and N-polar layers will have opposite directions, thus the polarity can be detected. This method is demonstrated by our CPGE measurements in both n- and p-type InN films.
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