Stacking-layer-number dependence of highly stacked InAs quantum dot laser diodes fabricated using strain-compensation technique
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使用应变补偿技术制造的高度堆叠 InAs 量子点激光二极管的堆叠层数依赖性
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
S.Bietti
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Akahane;N.Yamamoto;T.Kawanishi;S.Bietti
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影响因子：
1.1
作者：
Kovsh, AR;Maleev, NA;Bimberg, D
通讯作者：
Bimberg, D
DOI：
10.1002/pssa.201000432
发表时间：
2011-02
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
--
作者：
K. Akahane;N. Yamamoto;T. Kawanishi
通讯作者：
K. Akahane;N. Yamamoto;T. Kawanishi
影响因子：
4
作者：
ARAKAWA, Y;SAKAKI, H
通讯作者：
SAKAKI, H
使用电子垂直耦合 InAs-GaAs 量子点工程激光增益光谱
影响因子：
2.6
作者：
Jyh;Ru;Jenn;Chu;G. Lin;Chiu;Chih;Hui;Tung;J. Chi
通讯作者：
J. Chi
影响因子：
2.6
作者：
Huang, XD;Stintz, A;Malloy, KJ
通讯作者：
Malloy, KJ