Quantum dots and spin qubits based on silicon tunnel field-effect transistors
Quantum dots and spin qubits based on silicon tunnel field-effect transistors
复制标题
基于硅隧道场效应晶体管的量子点和自旋量子位
DOI：
--
复制
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Keiji Ohno
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Satoshi Moriyama;Takahiro Mori;Keiji Ohno
登录
查看更多内容
影响因子：
1.4
作者：
T. Shinada;Y. Kumura;Jun Okabe;T. Matsukawa;I. Ohdomari
通讯作者：
I. Ohdomari
影响因子：
3.7
作者：
Kane, BE;McAlpine, NS;Wiseman, H
通讯作者：
Wiseman, H
两个量子点之间隧道效应的角动量选择性
影响因子：
2.8
作者：
K. Ono;D. G. Austing;Y. Tokura;S. Tarucha
通讯作者：
S. Tarucha
硅中施主和受主杂质光电导特性的不对称性
影响因子：
3.2
作者：
N. Sclar
通讯作者：
N. Sclar
1.2 nm 电介质中的能量解析自旋相关隧道
影响因子：
4
作者：
J. Ryan;P. Lenahan;A. Krishnan;S. Krishnan
通讯作者：
S. Krishnan