Gate-controlled multi-bit nonvolatile ferroelectric organic transistor memory on paper substrates

Gate-controlled multi-bit nonvolatile ferroelectric organic transistor memory on paper substrates
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纸基板上的门控多位非易失性铁电有机晶体管存储器

DOI:
10.1039/c9tc04356j
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发表时间:
2019-11
期刊:
J. Mater. Chem. C
影响因子:
--
通讯作者:
Wei Wang
Wei Wang
中科院分区:
其他
文献类型:
--
作者:
Meili Xu;Xindong Zhang;Shizhang Li;Ting Xu;Wenfa Xie;Wei Wang

文献摘要

参考文献

被引文献

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首次在纸基片上制备了高性能多位有机晶体管非易失性存储器,具有良好的机械耐久性和环境稳定性。
A high-performance multi-bit organic transistor nonvolatile-memory, with good mechanical durability and environmental stability, was prepared for the first time on a paper substrate.
DOI: 10.1002/cphc.201402701
发表时间: 2015-04
期刊: Chemphyschem : a European journal of chemical physics and physical chemistry
影响因子: --
作者:
Fredrik Pettersson;T. Remonen;David Adekanye;Yanxi Zhang;Carl-Eric Wilén;R. Österbacka
通讯作者: Fredrik Pettersson;T. Remonen;David Adekanye;Yanxi Zhang;Carl-Eric Wilén;R. Österbacka
DOI: 10.1016/j.orgel.2017.03.018
发表时间: 2016-09
影响因子: 3.2
作者:
Cuong Manh Tran;H. Sakai;Y. Kawashima;K. Ohkubo;S. Fukuzumi;H. Murata
通讯作者: Cuong Manh Tran;H. Sakai;Y. Kawashima;K. Ohkubo;S. Fukuzumi;H. Murata
DOI: 10.1016/j.orgel.2019.105394
发表时间: 2019-12
影响因子: 3.2
作者:
Sun Kak Hwang;Kang Lib Kim;Suk Man Cho;T. Park;Beomjin Jeong;Insung Bae;Cheolmin Park
通讯作者: Sun Kak Hwang;Kang Lib Kim;Suk Man Cho;T. Park;Beomjin Jeong;Insung Bae;Cheolmin Park
DOI: 10.1016/j.orgel.2014.08.051
发表时间: 2015-01-01
影响因子: 3.2
作者:
Jung, Soon-Won;Choi, Jeong-Seon;Yoon, Sung-Min
通讯作者: Yoon, Sung-Min
DOI: 10.1002/adma.201101511
发表时间: 2011-09-22
期刊: ADVANCED MATERIALS
影响因子: 29.4
作者:
Tripathi, Ashutosh K.;van Breemen, Albert J. J. M.;Gelinck, Gerwin H.
通讯作者: Gelinck, Gerwin H.