Thermal conductivity and Seebeck coefficients of icosahedral boron arsenide films on silicon carbide
Thermal conductivity and Seebeck coefficients of icosahedral boron arsenide films on silicon carbide
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碳化硅上二十面体砷化硼薄膜的热导率和塞贝克系数
DOI：
10.1063/1.3486518
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发表时间：
2010
影响因子：
3.2
通讯作者：
Gong Y
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Gong Y
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DOI：
10.1016/0921-5107(94)04023-w
发表时间：
1995
影响因子：
3.6
作者：
H. Werheit
通讯作者：
H. Werheit
Cr∕Pt 与 B12As2 的欧姆接触
影响因子：
4
作者：
S. H. Wang;E. M. Lysczek;Bangzhi Liu;S. Mohney;Z. Xu;R. Nagarajan;J. Edgar
通讯作者：
J. Edgar
CVD法在SiC衬底上晶体生长B12As2
影响因子：
1.8
作者：
R. Nagarajan;Z. Xu;J. Edgar;F. Baig;J. Chaudhuri;Z. Rek;E. A. Payzant;H. Meyer;J. Pomeroy;M. Kuball
通讯作者：
M. Kuball
等离子体增强化学气相沉积碳化硼（B5C）薄膜的光学性质
DOI：
--
发表时间：
1996
期刊：
影响因子：
--
作者：
Ahmad A. Ahmad;N. Ianno;P. G. Snyder;D. Welipitiya;D. Byun;P. Dowben
通讯作者：
P. Dowben
硅太阳能电池的辐射效应
影响因子：
1
作者：
R. Statler
通讯作者：
R. Statler