High-power SiC MESFET using a dual p-buffer layer for an S-band power amplifier
High-power SiC MESFET using a dual p-buffer layer for an S-band power amplifier
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使用双 p 缓冲层的高功率 SiC MESFET 用于 S 波段功率放大器
DOI：
10.1088/1674-1056/22/1/017302
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发表时间：
2013
影响因子：
1.7
通讯作者：
Zhang Bo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Deng Xiao-Chuan;Sun He;Rao Cheng-Yuan;Zhang Bo
基于碳化硅（SiC）的金属半导体场效应晶体管（MESFET）是通过使用标准SiC MESFET结构、在S波段功率放大器的工艺中应用双p缓冲层和多凹栅极来制造的。较低掺杂的上缓冲层用于维持沟道电流，而较高掺杂的下缓冲层用于在沟道层中提供优异的电子限制。在漏极电压为 85 V 的情况下偏置的 20 mm 栅极外围 SiC MESFET 的脉冲波饱和输出功率为 94 W，线性增益为 11.7 dB，在 3.4 GHz 时最大功率附加效率为 24.3%。与本工作中使用相同工艺制造的传统单 p 缓冲器 MESFET 相比，这些结果得到了改善。实现了大于 4.7 W/mm 的射频功率输出，显示出作为高功率固态放大器应用的高压操作器件的潜力。
A silicon carbide (SiC) based metal semiconductor field effect transistor (MESFET) is fabricated by using a standard SiC MESFET structure with the application of a dual p-buffer layer and a multi-recessed gate to the process for an S-band power amplifier. The lower doped upper-buffer layer serves to maintain the channel current, while the higher doped lower-buffer layer is used to provide excellent electron confinement in the channel layer. A 20-mm gate periphery SiC MESFET biased at a drain voltage of 85 V demonstrates a pulsed wave saturated output power of 94 W, a linear gain of 11.7 dB, and a maximum power added efficiency of 24.3% at 3.4 GHz. These results are improved compared with those of the conventional single p-buffer MESFET fabricated in this work using the same process. A radio-frequency power output greater than 4.7 W/mm is achieved, showing the potential as a high-voltage operation device for high-power solid-state amplifier applications.
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具有多凹槽栅极的高功率密度 SiC MESFET
影响因子：
1.1
作者：
Deng, X. C.;Li, L.;Zhang, B.;Mo, J. H.;Wang, Y.;Wang, Y.;Li, Z. J.
通讯作者：
Li, Z. J.
DOI：
10.1142/s0129156404003009
发表时间：
2004-08
期刊：
Proceedings. IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices, 2004.
影响因子：
--
作者：
SANKHA S. Mukherjee;SYED S. Islam
通讯作者：
SANKHA S. Mukherjee;SYED S. Islam
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.457-460.1193
发表时间：
2004-06
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
A. Los;M. Mazzola;D. Kajfez;B. Mcdaniel;C.E. Smith;J. Kretchmer;L. Rowland;J. Casady
通讯作者：
A. Los;M. Mazzola;D. Kajfez;B. Mcdaniel;C.E. Smith;J. Kretchmer;L. Rowland;J. Casady
影响因子：
3.1
作者：
H. Hjelmgren;F. Allerstam;K. Andersson;P. Nilsson;N. Rorsman
通讯作者：
H. Hjelmgren;F. Allerstam;K. Andersson;P. Nilsson;N. Rorsman
DOI：
10.1016/s0026-2714(02)00064-1
发表时间：
2002-07
期刊：
Microelectron. Reliab.
影响因子：
--
作者：
F. Gao;R. Chanana;T. Nicholls
通讯作者：
F. Gao;R. Chanana;T. Nicholls