High-power density SiC MESFETs with multi-recess gate
High-power density SiC MESFETs with multi-recess gate
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具有多凹槽栅极的高功率密度 SiC MESFET
DOI：
10.1049/el.2011.0048
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发表时间：
2011-04
影响因子：
1.1
通讯作者：
Li, Z. J.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Deng, X. C.;Li, L.;Zhang, B.;Mo, J. H.;Wang, Y.;Wang, Y.;Li, Z. J.
采用标准的SiC MESFET结构，并在工艺中采用多凹槽栅，制备了SiC MESFET。多凹进栅极结构由于较高的击穿电压而有效地提高了输出功率密度。在漏极电压为65 V时，250μm栅周SiC MESFET的脉冲波饱和输出功率为2.24 W，线性增益为8 dB（2 GHz）。 实现了大于8.9 W/mm的射频功率输出，显示了这些器件在高功率操作方面的潜力。
Silicon carbide (SiC) MESFETs were fabricated by using a standard SiC MESFET structure with the application of the multi-recessed gate in the process. The multi-recessed gate structure is effective in increasing the output power density, due to higher breakdown voltage. A 250 µm gate periphery SiC MESFET biased at a drain voltage of 65 V demonstrated a pulsed wave saturated output power of 2.24 W with a linear gain of 8 dB at 2 GHz. RF power output greater than 8.9 W/mm was achieved, showing the potential of these devices for high-power operation.
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影响因子：
1.7
作者：
Deng Xiaochuan;Feng Zhen;Zhang Bo;L. Zhaoji;Li Liang;Pan Hong-Shu
通讯作者：
Deng Xiaochuan;Feng Zhen;Zhang Bo;L. Zhaoji;Li Liang;Pan Hong-Shu
影响因子：
3.1
作者：
Cha, HY;Thomas, CI;Spencer, MG
通讯作者：
Spencer, MG
影响因子：
2.3
作者：
Zhu, CL;Rusli;Ahn, J
通讯作者：
Ahn, J
影响因子：
4.9
作者：
S. Sriram;H. Hagleitner;D. Namishia;T. Alcorn;T. Smith;B. Pulz
通讯作者：
S. Sriram;H. Hagleitner;D. Namishia;T. Alcorn;T. Smith;B. Pulz
DOI：
10.1109/tmtt.2006.885563
发表时间：
2006-12
影响因子：
4.3
作者：
M. Sudow;K. Andersson;N. Billstrom;J. Grahn;H. Hjelmgren;J. Nilsson;P. Nilsson;J. Ståhl;H. Zirath;N. Rorsman
通讯作者：
M. Sudow;K. Andersson;N. Billstrom;J. Grahn;H. Hjelmgren;J. Nilsson;P. Nilsson;J. Ståhl;H. Zirath;N. Rorsman