Ambipolar nonvolatile memory based on a quantum-dot transistor with a nanoscale floating gate
Ambipolar nonvolatile memory based on a quantum-dot transistor with a nanoscale floating gate
复制标题
基于具有纳米级浮栅的量子点晶体管的双极非易失性存储器
DOI：
10.1063/1.4955452
复制
发表时间：
2016-07
影响因子：
4
通讯作者：
Yao, Jianquan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Dai, Haitao;Yang, Junbo;Zhang, Guizhong;Yao, Jianquan
Using only solution processing methods, we developed ambipolar quantum-dot (QD) transistor floating-gate memory (FGM) that uses Au nanoparticles as a floating gate. Because of the bipolarity of the active channel of PbSe QDs, the memory could easily trap
登录
查看更多内容
影响因子：
4
作者：
Xiaoxian Song;Yating Zhang;Ran Wang;Mingxuan Cao;Yongli Che;Jianlong Wang;Haiyan Wang;Lufan Jin;H. Dai;X. Ding;Guizhong Zhang;Jianquan Yao
通讯作者：
Xiaoxian Song;Yating Zhang;Ran Wang;Mingxuan Cao;Yongli Che;Jianlong Wang;Haiyan Wang;Lufan Jin;H. Dai;X. Ding;Guizhong Zhang;Jianquan Yao
影响因子：
4.6
作者：
Zhou Y;Han ST;Sonar P;Roy VA
通讯作者：
Roy VA
影响因子：
19
作者：
Baeg, Kang-Jun;Noh, Yong-Young;Kim, Dong-Yu
通讯作者：
Kim, Dong-Yu
影响因子：
3.2
作者：
Y. Park;D. Gupta;Changhee Lee;Yongtaek Hong
通讯作者：
Y. Park;D. Gupta;Changhee Lee;Yongtaek Hong
影响因子：
4
作者：
Leong, W. L.;Lee, P. S.;Dodabalapur, A.
通讯作者：
Dodabalapur, A.