Lateral Crystallization of Amorphous Silicon films Induced by Flash Lamp Annealing
Lateral Crystallization of Amorphous Silicon films Induced by Flash Lamp Annealing
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闪光灯退火诱导非晶硅薄膜的横向结晶
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hideki Matsumura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Keisuke Ohdaira;Shohei Ishii;Naohito Tomura;Hideki Matsumura
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玻璃上非晶硅薄膜闪光灯诱导结晶的模拟
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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作者：
M. Smith;R. Mcmahon;M. Voelskow;D. Panknin;W. Skorupa
通讯作者：
W. Skorupa
通过闪光灯退火形成 10–15 nm 超浅结
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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作者：
T. Ito;T. Iinuma;A. Murakoshi;H. Akutsu;K. Suguro;T. Arikado;K. Okumura;M. Yoshioka;Tatsushi Owada;Y. Imaoka;H. Murayama;T. Kusuda
通讯作者：
T. Kusuda
玻璃基板上非晶硅闪光灯退火形成高度均匀微米级厚的多晶硅薄膜
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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作者：
K. Ohdaira;Y. Endo;Tomoko Fujiwara;S. Nishizaki;H. Matsumura
通讯作者：
H. Matsumura
脉冲激光照射熔化硅表层的凝固温度
影响因子：
6.7
作者：
G. Ivlev;E. Gatskevich
通讯作者：
E. Gatskevich
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1.5
作者：
K. Ohdaira;S. Ishii;N. Tomura;H. Matsumura
通讯作者：
H. Matsumura