RESURF n-LDMOS Transistor for Advanced Integrated Circuits in 4H-SiC
RESURF n-LDMOS Transistor for Advanced Integrated Circuits in 4H-SiC
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用于 4H-SiC 高级集成电路的 RESURF n-LDMOS 晶体管
DOI：
10.1109/ted.2020.3002730
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发表时间：
2019
影响因子：
3.1
通讯作者：
T.Erlbacher
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
J. Weiße;C. Matthus;H. Mitlehner;T.Erlbacher
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影响因子：
3.1
作者：
Chan, C. W.;Li, F.;Gammon, P. M.
通讯作者：
Gammon, P. M.
集成电路中的横向功率晶体管
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Erlbacher
通讯作者：
T. Erlbacher
半绝缘和导电衬底上生长的 4H-SiC 外延层的霍尔效应研究
DOI：
--
发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Schöner;S. Karlsson;T. Schmitt;N. Nordell;M. Linnarsson;K. Rottner
通讯作者：
K. Rottner
影响因子：
3.1
作者：
T. Kimoto;Hajime Kosugi;J. Suda;Y. Kanzaki;H. Matsunami
通讯作者：
T. Kimoto;Hajime Kosugi;J. Suda;Y. Kanzaki;H. Matsunami
注入 p 型 4H-SiC 中的铝受体激活和电荷补偿
影响因子：
1.6
作者：
J. Weiße;M. Hauck;M. Krieger;A. J. Bauer;T. Erlbacher
通讯作者：
T. Erlbacher