Longitudinal junction termination technique by multiple floating buried-layers for LDMOST
Longitudinal junction termination technique by multiple floating buried-layers for LDMOST
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LDMOST多浮置埋层纵向结端接技术
DOI：
10.1049/el:20081083
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发表时间：
2008-07
影响因子：
1.1
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
提出了横向双扩散MOSFET（LDMOST）的多重浮置埋层纵向结终端技术。在关断状态下，埋层中的空间电荷产生新的电场，该电场降低了主结处的电场峰值。与传统的LDMOST相比，潜在轮廓分布更加均匀。仿真结果表明，该结构的击穿电压为1776 V，而漂移长度为120 µm的传统LDMOST的击穿电压为841 V。
The longitudinal junction termination technique by multiple floating buried-layers for the lateral double-diffused MOSFET (LDMOST) is presented. In off-state, the space charges in the buried-layers generate a new electric field, and this field reduces the electric field peak at the main junction. The potential contours distribute more uniformly than those of the conventional LDMOST. Simulation results show that the breakdown voltage of the proposed structure is 1776 V, compared to 841 V of the conventional LDMOST with the same 120 µm drift length.
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