Electron holography study for two-dimensional dopant profile measurement with specimens prepared by backside ion milling
Electron holography study for two-dimensional dopant profile measurement with specimens prepared by backside ion milling
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利用背面离子铣削制备的样品进行二维掺杂剂分布测量的电子全息研究
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
et.al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. H. Yoo;et.al.
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通过离轴电子全息术进行半导体掺杂剂分析。
影响因子：
2.2
作者：
Jing Li;M. McCartney;David J. Smith
通讯作者：
David J. Smith
传统和背面聚焦离子束铣削，用于晶体管静电势的离轴电子全息术。
影响因子：
2.2
作者：
R. Dunin‐Borkowski;S. Newcomb;T. Kasama;M. McCartney;M. Weyland;P. Midgley
通讯作者：
P. Midgley
偏置半导体器件的定量电子全息术。
影响因子：
8.6
作者：
A. C. Twitchett;R. Dunin‐Borkowski;R. Broom;P. Midgley
通讯作者：
P. Midgley
通过离轴相移电子全息术绘制 GaAs 半导体中的掺杂剂浓度
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Applied Physics Letters 89
影响因子：
--
作者：
H.Sasaki;K.Yamamoto;T.Hirayama;S.Ootomo;T.Matsuda;F.Iwase;R.Nakasaki;H.Ishii
通讯作者：
H.Ishii
DOI：
10.1093/jmicro/51.3.143
发表时间：
2002-01-01
期刊：
JOURNAL OF ELECTRON MICROSCOPY
影响因子：
--
作者：
Lee, CW;Ikematsu, Y;Shindo, D
通讯作者：
Shindo, D