Mapping of dopant concentration in a GaAs semiconductor by off-axis phase-shifting electron holography
Mapping of dopant concentration in a GaAs semiconductor by off-axis phase-shifting electron holography
复制标题
通过离轴相移电子全息术绘制 GaAs 半导体中的掺杂剂浓度
DOI：
--
复制
发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H.Ishii
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H.Sasaki;K.Yamamoto;T.Hirayama;S.Ootomo;T.Matsuda;F.Iwase;R.Nakasaki;H.Ishii
登录
查看更多内容
通过组合电子全息术和聚焦离子束铣削表征具有较低掺杂水平的注入 Si/Si p-n 结
影响因子：
4
作者：
Zhouguang Wang;T. Kato;N. Shibata;T. Hirayama;N. Kato;K. Sasaki;H. Saka
通讯作者：
H. Saka
DOI：
10.1093/jmicro/dfh062
发表时间：
2004-01-01
期刊：
JOURNAL OF ELECTRON MICROSCOPY
影响因子：
--
作者：
Yabuuchi, Y;Tametou, S;Sugiyama, Y
通讯作者：
Sugiyama, Y
聚焦离子束铣削 Si/Si p-n 结横截面样品引起的表面损伤
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
作者：
Zhouguang Wang;T. Kato;T. Hirayama;N. Kato;K. Sasaki;H. Saka
通讯作者：
H. Saka
通过光束倾斜进行相移电子全息术
影响因子：
4
作者：
Q. Ru;T. Tanji;A. Tonomura
通讯作者：
A. Tonomura
偏置半导体器件的定量电子全息术。
影响因子：
8.6
作者：
A. C. Twitchett;R. Dunin‐Borkowski;R. Broom;P. Midgley
通讯作者：
P. Midgley