High Efficiency AlN/GaN HEMTs for Q-Band Applications with an Improved Thermal Dissipation
High Efficiency AlN/GaN HEMTs for Q-Band Applications with an Improved Thermal Dissipation
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适用于 Q 波段应用的高效 AlN/GaN HEMT，具有改进的散热性能
DOI：
10.1142/s0129156419400032
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发表时间：
2019
影响因子：
--
通讯作者：
Kabouche R
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kabouche R
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影响因子：
3.1
作者：
Uren, Michael J.;Moereke, Janina;Kuball, Martin
通讯作者：
Kuball, Martin
具有 5 µm 栅漏间距的 GaN-on-Si 高电子迁移率晶体管在 200 V 和 200 °C 的创纪录漏极电压下进行断态测试，具有出色的稳定性
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
D. Marcon;M. V. Hove;D. Visalli;J. Derluyn;J. Das;F. Medjdoub;S. Degroote;M. Leys;K. Cheng;R. Mertens;M. Germain;G. Borghs
通讯作者：
G. Borghs
非常高效的 V 波段功率 InP HEMT MMIC
影响因子：
4.9
作者：
W. Kong;S.C. Wang;Pane;Der;Kuichul Hwang;O. Tang;Shih;Pin Ho;K. Nichols;J. Heaton
通讯作者：
J. Heaton
测量 AlGaN/GaN HEMT 中 GaN 缓冲层的热导率
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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作者：
M. Power;J. Pomeroy;Y. Otoki;Takeshi Tanaka;Jiro Wada;M. Kuzuhara;W. Jantz;A. Souzis;Martin Kuball
通讯作者：
Martin Kuball
GaN%20DHFETs%20Having%2048%%20Power%20Added%20Efficiency%20and%2057%%20Drain%20Efficiency%20at%20$V$%20 频段
影响因子：
4.9
作者：
M. Micovic;D. Brown;A. Kurdoghlian;D. Santos;B. Grabar;J. Magadia;I. Khalaf;H. Tai;E. Prophet;S. Burnham;J. Wong;D. Regan;H. Fung;Y. Tang
通讯作者：
Y. Tang