Transferring of GaAs microtips using selective wet etching Al0.7Ga0.3As sacrificial layer
Transferring of GaAs microtips using selective wet etching Al0.7Ga0.3As sacrificial layer
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使用选择性湿法蚀刻 Al0.7Ga0.3As 牺牲层转移 GaAs 微尖端
DOI：
10.1016/j.mee.2007.11.002
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发表时间：
2008-07
影响因子：
2.3
通讯作者：
Liang, Xiuping
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hu, Lizhong;Tian, Yichun;Zhang, Hongzhi;Zhang, Heqiu;Sun, Xiaojuan;Pan, Shi;Liang, Xiuping
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DOI：
10.1007/pl00021124
发表时间：
2000-08
期刊：
Applied Physics A
影响因子：
--
作者：
S. Khalfallah;C. Gorecki;J. Podlecki;M. Nishioka;H. Kawakatsu;Y. Arakawa
通讯作者：
S. Khalfallah;C. Gorecki;J. Podlecki;M. Nishioka;H. Kawakatsu;Y. Arakawa
影响因子：
1.8
作者：
G. Bauhuis;P. Mulder;H. Kempen
通讯作者：
G. Bauhuis;P. Mulder;H. Kempen
影响因子：
1.5
作者：
Young-Joo Kim;K. Kurihara;Kazuhiro Suzuki;M. Nomura;S. Mitsugi;M. Chiba;K. Goto
通讯作者：
Young-Joo Kim;K. Kurihara;Kazuhiro Suzuki;M. Nomura;S. Mitsugi;M. Chiba;K. Goto
影响因子：
4
作者：
E. Oesterschulze;W. Scholz;C. Mihalcea;D. Albert;B. Sobisch;W. Kulisch
通讯作者：
E. Oesterschulze;W. Scholz;C. Mihalcea;D. Albert;B. Sobisch;W. Kulisch
影响因子：
4.6
作者：
C. Gorecki;S. Khalfallah;H. Kawakatsu;Y. Arakawa
通讯作者：
C. Gorecki;S. Khalfallah;H. Kawakatsu;Y. Arakawa