Quantification of spin drift in nonlocal devices with a heavily-doped Si channel
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具有重掺杂硅通道的非局域器件中自旋漂移的量化
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Yuasa and R. Jansen
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Spiesser;H. Saito;Y. Fujita;S. Yamada;K. Hamaya;W. Mizubayashi;K. Endo;S. Yuasa and R. Jansen
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自旋漂移对高掺杂硅中自旋积累电压的影响
影响因子：
4
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M. Kameno;E. Shikoh;T. Shinjo;T. Sasaki;T. Oikawa;Yoshishige Suzuki;Toshio Suzuki;M. S. O. Univ.;T. Co.;Ait.
通讯作者：
Ait.
n-Ge横向器件中的室温局域磁阻效应
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
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通讯作者：
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通讯作者：
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