A platform for GaAs opto-electronic integrated circuits based on GaAs/AlGaAs overgrowth of patterned InGaP
A platform for GaAs opto-electronic integrated circuits based on GaAs/AlGaAs overgrowth of patterned InGaP
复制标题
基于GaAs/AlGaAs图案化InGaP过度生长的GaAs光电集成电路平台
DOI：
10.1109/leos.2009.5343320
复制
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Groom K
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Groom K
登录
查看更多内容
基于InGaAs-GaAs量子点的宽范围可调谐横向耦合分布式反馈激光器
影响因子：
2.6
作者：
M. Muller;F. Klopf;M. Kamp;J. Reithmaier;A. Forchel
通讯作者：
A. Forchel
一种具有抗反射窗结构的高功率GaAlAs超辐射发光二极管
影响因子：
2.5
作者：
K. Tateoka;H. Naito;M. Yuri;M. Kume;K. Hamada;H. Shimizu;M. Kazumura;I. Teramoto
通讯作者：
I. Teramoto
AlGaAs/GaAs 自对准 LD 通过气相蚀刻和随后的 MOVPE 再生长工艺制造
影响因子：
2.5
作者：
M. Nido;I. Komazaki;K. Kobayashi;K. Endo;M. Ueno;T. Kamejima;T. Suzuki
通讯作者：
T. Suzuki
快速热退火对高度均匀自组装InAs∕GaAs量子点1.3μm发射特性的影响
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
Tao Yang;J. Tatebayashi;K. Aoki;M. Nishioka;Y. Arakawa
通讯作者：
Y. Arakawa
单片集成 780 nm 波段高功率和 650 nm 波段激光二极管，具有真实折射率引导自对准结构
影响因子：
2.6
作者：
T. Onishi;O. Imafuji;T. Fukuhisa;A. Mochida;Y. Kobayashi;M. Yuri;K. Itoh;H. Shimizu
通讯作者：
H. Shimizu