Impact of Termination Region on Switching Loss for SiC MOSFET
Impact of Termination Region on Switching Loss for SiC MOSFET
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终止区域对 SiC MOSFET 开关损耗的影响
DOI：
10.1109/ted.2018.2888995
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发表时间：
2019-01
影响因子：
3.1
通讯作者：
Huang Xing
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Li Xuan;Tan Ben;Huang Alex Q.;Zhang Bo;Zhang Yumeng;Deng Xiaochuan;Li Zhaoji;She Xu;Wang Fangzhou;Huang Xing
由于碳化硅的优异性能和单极电流传导机制，碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的有源芯片尺寸显著缩小，从而显著提高了开关性能。
Due to outstanding properties of silicon carbide (SiC) and unipolar current conduction mechanism, the active chip size of SiC metal–oxide–semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) is significantly shrunk, which significantly improves switching perf
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DOI：
--
发表时间：
2004
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
S. Saddow;A. Agarwal
通讯作者：
S. Saddow;A. Agarwal
DOI：
10.1109/apec.2016.7468151
发表时间：
2016-03
期刊：
2016 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC)
影响因子：
--
作者：
Suxuan Guo;Liqi Zhang;Yang Lei;Xuan Li;Wensong Yu;A. Huang
通讯作者：
Suxuan Guo;Liqi Zhang;Yang Lei;Xuan Li;Wensong Yu;A. Huang
影响因子：
6.7
作者：
Niall Oswald;P. Anthony;N. McNeill;B. Stark
通讯作者：
Niall Oswald;P. Anthony;N. McNeill;B. Stark
适用于高频应用的 SiC 功率 MOSFET 损耗模型
影响因子：
7.7
作者：
Li, Xuan;Jiang, Junning;She, Xu
通讯作者：
She, Xu
DOI：
10.1109/essderc.2015.7324715
发表时间：
2015-11
期刊：
2015 45th European Solid State Device Research Conference (ESSDERC)
影响因子：
--
作者：
V. Soler;M. Berthou;A. Mihaila;J. Montserrat;P. Godignon;J. Rebollo;J. Millán
通讯作者：
V. Soler;M. Berthou;A. Mihaila;J. Montserrat;P. Godignon;J. Rebollo;J. Millán