Significant Performance Improvement in AlGaN Solar-Blind Avalanche Photodiodes by Exploiting the Built-In Polarization Electric Field
Significant Performance Improvement in AlGaN Solar-Blind Avalanche Photodiodes by Exploiting the Built-In Polarization Electric Field
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利用内置偏振电场显着提高 AlGaN 日盲雪崩光电二极管的性能
DOI：
10.1109/jstqe.2014.2328437
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发表时间：
2014-06
影响因子：
4.9
通讯作者：
Dong, Kexiu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang, Rong;Zheng, Youdou;Li, Liang;Dong, Kexiu
We present improved AlGaN solar-blind avalanche photodiodes (APDs) with a separate absorption and multiplication (SAM) structure by introducing a polarization electric field with the same direction as reverse bias field in the multiplication region. This
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