A novel LDMOS with a junction field plate and a partial N-buried layer
A novel LDMOS with a junction field plate and a partial N-buried layer
复制标题
具有结场板和部分N埋层的新型LDMOS
DOI：
10.1088/1674-1056/23/12/127303
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发表时间：
2014-10
影响因子：
1.7
通讯作者：
Ma Da
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shi Xian-Long;Luo Xiao-Rong;Wei Jie;Tan Qiao;Liu Jian-Ping;Xu Qing;Li Peng-Cheng;Tian Rui-Chao;Ma Da
提出了一种具有高击穿电压（BV）和低导通电阻（Ron.sp）的新型横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS），并进行了仿真研究。它具有一个结场板（JFP）在漂移区域和一个p
A novel lateral double-diffused metal—oxide semiconductor (LDMOS) with a high breakdown voltage (BV) and low specific on-resistance (Ron.sp) is proposed and investigated by simulation. It features a junction field plate (JFP) over the drift region and a p
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Ying-Keung Leung;A. Paul;K. Goodson;J. Plummer;S.S. Wong
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作者：
G. Xie 谢;B. Zhang 张;E. Xu;N. Hashemi;F. Y. Fu;W. Ng
通讯作者：
G. Xie 谢;B. Zhang 张;E. Xu;N. Hashemi;F. Y. Fu;W. Ng