Electrical and Photoconductive Properties at 2 K of Germanium p+ -i Junction Device Fabricated by Surface-Activated Wafer Bonding
Electrical and Photoconductive Properties at 2 K of Germanium p+ -i Junction Device Fabricated by Surface-Activated Wafer Bonding
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表面活化晶圆键合制造的锗 p -i 结器件在 2 K 下的电学和光电导性能
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Kentaroh Watanabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hidehiro Kaneda;Takehiko Wada;Shinki Oyabu;Ryoko Kano;Yuichi Kiriyama;Yasuki Hattori;Toyoaki Suzuki Kensuke Ide;Masahiro Kato;Kentaroh Watanabe
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DOI：
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--
作者：
Kentaroh Watanabe;Kensuke Wada;Hidehiro Kaneda;Kensuke Ide;Masahiro Kato;Takehiko Wada
通讯作者：
Takehiko Wada