Growth-method-dependent thermoelectric properties of epitaxial Ge/Si(001) thin films
Growth-method-dependent thermoelectric properties of epitaxial Ge/Si(001) thin films
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外延 Ge/Si(001) 薄膜的生长方法相关热电特性
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and Yoshiaki Nakamura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Tatsuhiko Taniguchi;Hiroki Miyamoto;Kentaro Watanabe;and Yoshiaki Nakamura
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影响因子：
4.6
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Huesgen, Till;Woias, Peter;Kockmann, Norbert
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通讯作者：
M. Takashiri;T. Borca-Tasciuc;A. Jacquot;K. Miyazaki;Gang Chen
表面活性剂介导的硅上锗生长的进展：硅上高质量p型Ge薄膜
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
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通讯作者：
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使用金属Ga靶反应溅射沉积GaN薄膜的结构和热物理性质
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10.1116/1.4985182
发表时间：
2017
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