Performance Analysis of Dual Vt Domino Circuits with P-V-T Variations
Performance Analysis of Dual Vt Domino Circuits with P-V-T Variations
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具有 P-V-T 变化的双 Vt 多米诺电路的性能分析
DOI：
10.4028/www.scientific.net/amm.88-89.326
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发表时间：
2011-08
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Wuchen Wu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jinhui Wang;Na Gong;Gang Liu;Shuqin Geng;Wuchen Wu
基于多参数蒙特卡罗方法，分析了多米诺电路在P-V-T（工艺、电压和温度）变化时的漏电流、有功功率和延迟特性。它表明，不考虑P-V-T的变化和工艺电热耦合可能会导致显着的不准确性，在晶体管级的性能估计。在P-V-T变化较大的情况下，DTV（Dual Vt Technology）技术对减小多米诺电路的漏电流和有功功率仍有很好的效果，但会带来速度损失。最后，讨论了具有DTV的不同多米诺电路对P-V-T变化的鲁棒性。
The leakage current, active power and delay characterizations of the domino circuits in the presence of P-V-T (Process, Voltage, and Temperature) variations are analyzed based on multiple-parameter Monte Carlo method. It is demonstrated that failing to account for P-V-T variations and process-electro-thermal couplings can result in significant inaccuracy in transistor-level performance estimation. It also indicates that under significant P-V-T variations, DTV (Dual Vt Technology) is still highly effective to reduce the leakage current and active power for domino circuits, but induces speed penalty. At last, the robustness of different domino circuits with DTV against the P-V-T variations is discussed.
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影响因子：
2.3
作者：
Wang, Jinhui;Gong, Na;Hou, Ligang;Peng, Xiaohong;Geng, Shuqin;Wu, Wuchen
通讯作者：
Wu, Wuchen
DOI：
10.1145/1065579.1065718
发表时间：
2005-06
期刊：
Proceedings. 42nd Design Automation Conference, 2005.
影响因子：
--
作者：
Ashish Srivastava;Saumil Shah;K. Agarwal;D. Sylvester;D. Blaauw;S. W. Director
通讯作者：
Ashish Srivastava;Saumil Shah;K. Agarwal;D. Sylvester;D. Blaauw;S. W. Director
DOI：
10.1145/871506.871549
发表时间：
2003-08
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
S. Mukhopadhyay;K. Roy
通讯作者：
S. Mukhopadhyay;K. Roy
DOI：
10.1109/iccad.2005.1560162
发表时间：
2005-05
期刊：
ICCAD-2005. IEEE/ACM International Conference on Computer-Aided Design, 2005.
影响因子：
--
作者：
A. Agarwal;Kunhyuk Kang;K. Roy
通讯作者：
A. Agarwal;Kunhyuk Kang;K. Roy
影响因子：
3.1
作者：
H. Dadgour;Sheng-Chih Lin;K. Banerjee
通讯作者：
H. Dadgour;Sheng-Chih Lin;K. Banerjee