Experimental up-scaling of thermal conductivity reductions in silicon by vacancy-engineering: From the nano- to the micro-scale
Experimental up-scaling of thermal conductivity reductions in silicon by vacancy-engineering: From the nano- to the micro-scale
复制标题
通过空位工程提高硅导热系数降低的实验规模：从纳米尺度到微米尺度
DOI：
10.1016/j.matpr.2017.12.267
复制
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Wight N
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wight N
展示了一种将硅薄膜的热导率降低至少一个数量级的方法，成功地证明了该技术在硅纳米薄膜上的扩展。 Si的高能自注入用于产生晶格空位浓度的过饱和，该过饱和在注入后快速热退火后仍然存在，从而破坏声子模式热传输。该方法展示了一种微收获热电装置应用的方法，而不会遇到替代硅热电方法中尺寸放大所面临的困难。还显示了 p 型硅中注入后掺杂剂激活所需的热预算方面的挑战。
A method to reduce the thermal conductivity in Si thin-films by at least an order of magnitude is shown, successfully demonstrating the up-scaling of this technique from Si nano-films. High energy self implantation of Si is used to create a supersaturation of lattice vacancy concentrations that remain following post implant rapid thermal annealing producing a disruption in phonon mode thermal transport. This method demonstrates an approach for micro-harvesting thermoelectric device applications without the difficulties faced for dimensional up-scaling in alternative Si thermoelectric approaches. Challenges surrounding the thermal budget required for post implant dopant activation in p-type Si are also shown.
登录
查看更多内容
硅中硼和磷离子注入层的电活性和霍尔迁移率测量†
DOI：
--
发表时间：
1969
期刊：
影响因子：
--
作者：
R. F. Webber;R. Thorn;L. Large
通讯作者：
L. Large
硅中硼团簇的从头开始建模
DOI：
--
发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
--
作者：
Xiang;W. Windl;M. Masquelier
通讯作者：
M. Masquelier
正电子湮没光谱研究绝缘体上硅结构中空位型缺陷的演变
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
P. Coleman;D. Nash;C. Edwardson;A. Knights;R. Gwilliam
通讯作者：
R. Gwilliam
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
N. Wight;N. Bennett
通讯作者：
N. Bennett
硅中空位簇形成和蒸发的活化能。
影响因子：
8.6
作者：
D. Abdulmalik;P. Coleman
通讯作者：
P. Coleman