Sub-100 nm channel length graphene transistors.
Sub-100 nm channel length graphene transistors.
复制标题
DOI：
10.1021/nl101724k
复制
发表时间：
2010-10-13
期刊：
影响因子：
10.8
通讯作者：
Duan X
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Liao L;Bai J;Cheng R;Lin YC;Jiang S;Qu Y;Huang Y;Duan X
在这里，我们报告的高性能子100纳米沟道长度石墨烯晶体管制造使用自对准的方法。石墨烯晶体管使用高掺杂GaN纳米线作为局部栅极来制造，其中源极和漏极通过自对准工艺来限定，并且沟道长度由纳米线尺寸来限定。这种制造方法允许在石墨烯中保持高载流子迁移率，并确保源极、漏极和栅极电极之间几乎完美的对准。因此，它提供了以前不可能的晶体管性能。具有45 - 100 nm沟道长度的石墨烯晶体管已被制造成具有超过2 mS/µ m的缩放过电流，与具有类似沟道长度的性能最好的高电子迁移率晶体管相当。分析和器件特性给出了120 - 220 fs的渡越时间和预计的固有截止渡越频率（fT）达到700 - 1400 GHz。这项研究表明了石墨烯基电子在太赫兹电子学中的令人兴奋的潜力。
Here we report high performance sub-100 nm channel length grapheme transistors fabricated using a self-aligned approach. The graphene transistors are fabricated using a highly-doped GaN nanowire as the local gate, with the source and drain electrodes defined through a self-aligned process and the channel length defined by the nanowire size. This fabrication approach allows the preservation of the high carrier mobility in graphene, and ensures nearly perfect alignment between source, drain, and gate electrodes. It therefore affords transistor performance not previously possible. Graphene transistors with 45–100 nm channel lengths have been fabricated with the scaled transconductance exceeding 2 mS/µm, comparable to the best performed high electron mobility transistors with similar channel lengths. Analysis of and the device characteristics gives a transit time of 120–220 fs and the projected intrinsic cutoff transit frequency (fT) reaching 700–1400 GHz. This study demonstrates the exciting potential of graphene based electronics in terahertz electronics.
登录
查看更多内容
影响因子：
4
作者：
Murali, Raghunath;Yang, Yinxiao;Meindl, James D.
通讯作者：
Meindl, James D.
影响因子：
56.9
作者：
Lin, Y. -M.;Dimitrakopoulos, C.;Avouris, Ph.
通讯作者：
Avouris, Ph.
影响因子：
4
作者：
Lee, Bongki;Park, Seong-Yong;Kim, Jiyoung
通讯作者：
Kim, Jiyoung
影响因子：
29.4
作者：
Liao, Lei;Bai, Jingwei;Lin, Yung-Chen;Qu, Yongquan;Huang, Yu;Duan, Xiangfeng
通讯作者：
Duan, Xiangfeng
影响因子：
2.1
作者：
Bolotin, K. I.;Sikes, K. J.;Stormer, H. L.
通讯作者：
Stormer, H. L.