Advantages of Inductively Coupled Plasma -Assisted Sputtering for Preparation of Stoichiometric V0_2 films with Metal-Insulator Transition

Advantages of Inductively Coupled Plasma -Assisted Sputtering for Preparation of Stoichiometric V0_2 films with Metal-Insulator Transition
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电感耦合等离子体辅助溅射制备化学计量金属-绝缘体转变V0_2薄膜的优势

DOI:
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发表时间:
2008
期刊:
Thin Solid Films Vol. 516
影响因子:
--
通讯作者:
Okimura
Okimura
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
Yusuke;Nihei;Yusuke;Sasakawa;Kunio;Okimura

文献摘要

参考文献

被引文献

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