Advantages of Inductively Coupled Plasma -Assisted Sputtering for Preparation of Stoichiometric V0_2 films with Metal-Insulator Transition
Advantages of Inductively Coupled Plasma -Assisted Sputtering for Preparation of Stoichiometric V0_2 films with Metal-Insulator Transition
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电感耦合等离子体辅助溅射制备化学计量金属-绝缘体转变V0_2薄膜的优势
DOI:
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发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
Okimura
中科院分区:
文献类型:
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作者:
Yusuke;Nihei;Yusuke;Sasakawa;Kunio;Okimura
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DOI:
10.1116/1.1627770
发表时间:
2004
期刊:
Journal of Vacuum Science and Technology
影响因子:
--
作者:
K. Okimura;J. Oyanagi
通讯作者:
J. Oyanagi
DOI:
10.1116/1.1943452
发表时间:
2005
期刊:
Journal of Vacuum Science and Technology
影响因子:
--
作者:
H. Matsui;H. Toyoda;H. Sugai
通讯作者:
H. Sugai
影响因子:
1.5
作者:
K. Okimura;K. Yamauchi
通讯作者:
K. Yamauchi
DOI:
10.1116/1.575744
发表时间:
1989
期刊:
Journal of Vacuum Science and Technology
影响因子:
--
作者:
M. Yamashita
通讯作者:
M. Yamashita