Species responsible for Si-H_2 bond formation in a-Si:H films deposited using silane high frequency discharges
Species responsible for Si-H_2 bond formation in a-Si:H films deposited using silane high frequency discharges
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使用硅烷高频放电沉积的 a-Si:H 薄膜中负责形成 Si-H_2 键的物质
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Yukio Watanabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Masaharu Shiratani;Kazunori Koga;Naoto Kaguchi;Kouki Bando;Yukio Watanabe
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A. Gallagher