Thermal annealing of GaN implanted with Be
Thermal annealing of GaN implanted with Be
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注入 Be 的 GaN 的热退火
DOI：
10.1063/5.0080060
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发表时间：
2022
影响因子：
3.2
通讯作者：
Shahedipour-Sandvik, F.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Reshchikov, M. A.;Andrieiev, O.;Vorobiov, M.;Ye, D.;Demchenko, D. O.;Sierakowski, K.;Bockowski, M.;McEwen, B.;Meyers, V.;Shahedipour-Sandvik, F.
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影响因子：
3.2
作者：
H. Teisseyre;I. Gorczyca;N. Christensen;A. Svane;F. Naranjo;E. Calleja
通讯作者：
E. Calleja
铍在GaN中扩散机理的研究
影响因子：
2.8
作者：
R. Jakieła;K. Sierakowski;T. Sochacki;M. Iwinska;M. Fijalkowski;A. Barcz;M. Boćkowski
通讯作者：
M. Boćkowski
GaN 中注入的 S、Se、Te、Be、Mg 和 C 的重新分布和激活
DOI：
10.1116/1.581800
发表时间：
1999
期刊：
Journal of Vacuum Science and Technology
影响因子：
--
作者：
R. Wilson;J. Zavada;Xiaofan Cao;Rajendra Singh;S. Pearton;H. Guo;S. Pennycook;M. Fu;J. A. Sekhar;V. Scarvepalli;R. Shu;J. Han;D. Rieger;J. Zolper;C. Abernathy
通讯作者：
C. Abernathy
通过对分子束外延生长的 GaN 进行退火来热激活与铍相关的光致发光
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
作者：
Kyoungnae Lee;B. Vanmil;M. Luo;Lijun Wang;N. Giles;T. Myers
通讯作者：
T. Myers
影响因子：
3.2
作者：
Reshchikov, Michael A.
通讯作者：
Reshchikov, Michael A.