Energy band alignment of InGaZnO4/Si heterojunction determined by x-ray photoelectron spectroscopy
Energy band alignment of InGaZnO4/Si heterojunction determined by x-ray photoelectron spectroscopy
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X 射线光电子能谱测定 InGaZnO4/Si 异质结的能带排列
DOI：
10.1063/1.4773299
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发表时间：
2012-12
影响因子：
4
通讯作者：
Zhang, David Wei
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xie, Zhang-Yi;Lu, Hong-Liang;Xu, Sai-Sheng;Geng, Yang;Sun, Qing-Qing;Ding, Shi-Jin;Zhang, David Wei
利用X射线光电子能谱（XPS）测量了InGaZnO 4（IGZO）/Si异质结的价带偏移（ΔEV）。采用射频磁控溅射法在Si（100）衬底上生长IGZO薄膜。通过u = 2.53eV得到ΔEV = 2.53eV
X-ray photoelectron spectroscopy was utilized to determine the valence band offset (ΔEV) of the InGaZnO4 (IGZO)/Si heterojunction. The IGZO films were grown on Si (100) using radio frequency magnetron sputtering. A value of ΔEV = 2.53 eV was obtained by u
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DOI：
10.1116/1.3276774
发表时间：
2010-01
期刊：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
影响因子：
--
作者：
W. Lim;E. Douglas;D. Norton;S. Pearton;F. Ren;Y. Heo;S. Son;J. Yuh
通讯作者：
W. Lim;E. Douglas;D. Norton;S. Pearton;F. Ren;Y. Heo;S. Son;J. Yuh
影响因子：
4
作者：
Jeong, Jae Kyeong;Yang, Hui Won;Kim, Hye Dong
通讯作者：
Kim, Hye Dong
影响因子：
3.2
作者：
M. Perego;G. Seguini
通讯作者：
M. Perego;G. Seguini
影响因子：
29.4
作者：
Fortunato, EMC;Barquinha, PMC;Martins, RFP
通讯作者：
Martins, RFP
影响因子：
2.1
作者：
R. Baptist;A. Pellissier;G. Chauvet
通讯作者：
R. Baptist;A. Pellissier;G. Chauvet