Time transient investigation of photo-induced electron localization at atomic step edges of Si (111)
Time transient investigation of photo-induced electron localization at atomic step edges of Si (111)
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Si (111) 原子台阶边缘光致电子局域化的时间瞬态研究
DOI:
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发表时间:
2005
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
B.Hamilton
中科院分区:
文献类型:
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作者:
M.Ishii;B.Hamilton
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影响因子:
6.7
作者:
N. Satoh;K. Kobayashi;S. Watanabe;T. Fujii;T. Horiuchi;Hirofumi Yamada;K. Matsushige
通讯作者:
K. Matsushige
影响因子:
1.4
作者:
T. Uchihashi;M. Ohta;Y. Sugawara;Y. Yanase;Tatsuhiko Sigematsu;Mineharu Suzuki;S. Morita
通讯作者:
S. Morita
影响因子:
1.5
作者:
N. Satoh;K. Kobayashi;S. Watanabe;T. Fujii;T. Horiuchi;Hirofumi Yamada;K. Matsushige
通讯作者:
K. Matsushige
影响因子:
8.6
作者:
G. Binnig;H. Rohrer;C. Gerber;E. Weibel
通讯作者:
G. Binnig;H. Rohrer;C. Gerber;E. Weibel
影响因子:
4
作者:
CHAVEZPIRSON, A;VATEL, O;KANBE, H
通讯作者:
KANBE, H