Leveraging Asymmetric Body Bias Control for Low Power LSI Design
Leveraging Asymmetric Body Bias Control for Low Power LSI Design
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利用非对称体偏置控制进行低功耗 LSI 设计
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Amano,
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Okuhara;A.B.Ahmed;J.M.Kuehn;H.Amano,
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体偏置发生器具有低至阈值电压的宽电源范围，用于芯片内变异性补偿
DOI：
10.1109/asscc.2014.7008858
发表时间：
2014
期刊：
2014 IEEE Asian Solid-State Circuits Conference (A-SSCC)
影响因子：
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作者：
Norihiro Kamae;Islam A. K. M. Mahfuzul;A. Tsuchiya;H. Onodera
通讯作者：
H. Onodera
采用 28nm FDSOI 的快速、灵活、正负自适应体偏置发生器
DOI：
10.1109/vlsic.2016.7573479
发表时间：
2016
期刊：
2016 IEEE Symposium on VLSI Circuits (VLSI-Circuits)
影响因子：
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作者：
Milovan Blagojevic;M. Cochet;Ben Keller;P. Flatresse;A. Vladimirescu;B. Nikolić
通讯作者：
B. Nikolić
通过具有单金属栅极的薄 BOX (SOTB) CMOS 上的本征硅实现最小的 Vth 变化
DOI：
10.1109/vlsit.2008.4588604
发表时间：
2008
期刊：
2008 Symposium on VLSI Technology
影响因子：
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作者：
Y. Morita;R. Tsuchiya;T. Ishigaki;N. Sugii;T. Iwamatsu;T. Ipposhi;H. Oda;Y. Inoue;K. Torii;S. Kimura
通讯作者：
S. Kimura
MuCCRA4-BB：具有细粒度体偏置功能的 DRP
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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作者：
舘野道雄;田中肇;松下詩穂，美馬哲郎，藤江正克;Johannes M. Kuehn
通讯作者：
Johannes M. Kuehn
最小电源运行的阈值电压平衡 [LV CMOS 芯片]
DOI：
10.1109/jssc.2003.810043
发表时间：
2003
期刊：
IEEE J. Solid State Circuits
影响因子：
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作者：
G. Ono;M. Miyazaki
通讯作者：
M. Miyazaki