GaAs-based superluminescent diodes with window-like facet structure for low spectral modulation at high output powers
GaAs-based superluminescent diodes with window-like facet structure for low spectral modulation at high output powers
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具有窗状刻面结构的 GaAs 基超发光二极管，用于高输出功率下的低光谱调制
DOI：
10.1088/0268-1242/31/4/045003
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发表时间：
2016
影响因子：
1.9
通讯作者：
Ghazal O
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ghazal O
我们展示了一个GaAs基超辐射发光二极管（SLD）的基础上纳入一个窗口状的背面到一个自对准的条纹结构，以减少有效面反射率。这允许在高功率谱密度（PSD）下实现具有低光谱调制深度（SMD）的SLD，而无需将抗反射涂层应用于任一面。因此，这种方法与超宽带增益有源元件兼容。我们发现，30 mW的输出功率可以在一个狭窄的带宽，对应于2.2 mW nm− 1 PSD只有5%的SMD，中心约990 nm。我们讨论了高功率和低SMD的设计标准和SMD对输出功率的线性依赖性的偏差，导致焦耳加热的自对准条纹。
We demonstrate a GaAs-based superluminescent diode (SLD) based on the incorporation of a window-like back facet into a self-aligned stripe structure in order to reduce the effective facet reflectivity. This allows the realisation of SLDs with low spectral modulation depth (SMD) at high power spectral density (PSD), without the application of anti-reflection coatings to either facet. This approach is therefore compatible with ultra-broadband gain active elements. We show that 30 mW output power can be attained in a narrow bandwidth, corresponding to 2.2 mW nm− 1 PSD with only 5% SMD, centred about 990 nm. We discuss the design criteria for high power and low SMD and the deviation from a linear dependence of SMD on output power, resulting from Joule heating in the self-aligned stripe.
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