Effect of boron localized states on the conduction band transport in BxGa1−xP
Effect of boron localized states on the conduction band transport in BxGa1−xP
复制标题
硼局域态对 BxGa1âxP 导带输运的影响
DOI：
10.1063/1.4903244
复制
发表时间：
2014
影响因子：
4
通讯作者：
W. Stolz
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Petznick;L. Ostheim;P. J. Klar;S.Liebich;K. Volz;W. Stolz
登录
查看更多内容
GaNxP1-x 导带边缘的实验和理论研究
影响因子：
3.7
作者：
M. Güngerich;P. Klar;W. Heimbrodt;G. Weiser;J. Geisz;C. Harris;A. Lindsay;E. O’Reilly
通讯作者：
E. O’Reilly
Ga 溶液缓慢冷却生长的 n-GaP 晶体中的电子迁移率和杂质浓度
影响因子：
1.5
作者：
M. Toyama;M. Naito;A. Kasami
通讯作者：
A. Kasami
影响因子：
3.2
作者：
Hossain, Nadir;Hosea, T. J. C.;Stolz, Wolfgang
通讯作者：
Stolz, Wolfgang
局域硼杂质对(B,Ga,In)As光调制反射光谱中基本带隙跃迁线形的影响
影响因子：
3.7
作者：
T. Sander;J. Teubert;P. Klar;A. Lindsay;E. O’Reilly
通讯作者：
E. O’Reilly
GaP 中束缚激子的静水压力依赖性
影响因子：
3.7
作者：
B. Gil;M. Baj;J. Camassel;H. Mathieu;C. Guillaume;N. Mestres;J. Pascual
通讯作者：
J. Pascual