GaAs(111)A-(2×2)表面上のSi原子の吸着・脱離に関する第一原理からの検討
GaAs(111)A-(2×2)表面上のSi原子の吸着・脱離に関する第一原理からの検討
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Si原子在GaAs(111)A-(2×2)表面吸附与解吸的第一性原理研究
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
伊藤智徳
中科院分区：
文献类型：
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作者：
立松洋明;秋山亨;中村浩次;伊藤智徳
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影响因子：
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通讯作者：
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DOI：
--
发表时间：
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期刊：
影响因子：
--
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