Investigation of MOVPE-grown zincblende GaN nucleation layers on 3C-SiC/Si substrates
Investigation of MOVPE-grown zincblende GaN nucleation layers on 3C-SiC/Si substrates
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3C-SiC/Si 衬底上 MOVPE 生长的闪锌矿 GaN 成核层的研究
DOI：
10.17863/cam.42967
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Lee L
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Lee L
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生长温度和 V/III 比对 MOVPE 生长的立方闪锌矿 GaN 表面形貌的影响
影响因子：
3.2
作者：
Lee L
通讯作者：
Lee L
金属有机化学气相沉积 GaN/GaAs (100) 生长的初始阶段
DOI：
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发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
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作者：
Dapeng Xu;Hui Yang;J. B. Li;S. Li;Y. Wang;D. G. Zhao;R. Wu
通讯作者：
R. Wu
使用低 V/III 摩尔比的低压 MOVPE 在 GaAs (100) 衬底上高温生长闪锌矿 GaN
DOI：
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发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
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作者：
A. Nakadaira;Hidenao Tanaka
通讯作者：
Hidenao Tanaka
等离子辅助分子束外延中闪锌矿 GaN/GaAs(001) 的表面重建。
DOI：
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发表时间：
1995
期刊：
Physical Review B (Condensed Matter)
影响因子：
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作者：
Brandt;Yang;Jenichen;Suzuki;Däweritz;Ploog
通讯作者：
Ploog
金属有机气相外延在 3C-SiC (100) 衬底上生长立方 GaN 的光学特性
DOI：
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发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
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作者：
J. Wu;H. Yaguchi;B. Zhang;Y. Segawa;K. Onabe;Y. Shiraki
通讯作者：
Y. Shiraki