Effects of plasma immersion ion nitridation on dielectric properties of HfO2
Effects of plasma immersion ion nitridation on dielectric properties of HfO2
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等离子体浸没离子氮化对HfO2介电性能的影响
DOI：
10.1063/1.2715044
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发表时间：
2007-03
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
P. K. Chu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Xue;J. B. Xu;A. P. Huang;P. K. Chu
等离子体浸没离子氮化用于制备热学和电学性能得到改善的HfO2薄膜。利用x射线光电子能谱分析了Hf 4f、Si 2p和n1s核能级能谱的化学位移，研究了薄膜的组成。高分辨率截面透射电镜进一步证实了热稳定性和界面微观结构的改善。电学研究表明，等效的氧化物厚度约为1.25nm，滞后可忽略不计，约为5mV，固定电荷密度低。
Plasma immersion ion nitridation is used to produce thin HfO2 films with improved thermal and electrical properties. The film composition is investigated by examining the chemical shifts of the Hf 4f, Si 2p, and N 1s core-level spectra using x-ray photoelectron spectroscopy. The improved thermal stability and interfacial microstructure are further confirmed by high-resolution cross-sectional transmission electron microscopy. Electrical studies show an equivalent oxide thickness of about 1.25nm, a negligible hysteresis of about 5mV, and a low fixed charge density.
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影响因子：
4
作者：
Liang Wang;K. Xue;Jianbin Xu;A. Huang;P. Chu
通讯作者：
Liang Wang;K. Xue;Jianbin Xu;A. Huang;P. Chu
影响因子：
4
作者：
K. Choi;H. Temkin;H. Harris;S. Gangopadhyay;L. Xie;M. White
通讯作者：
K. Choi;H. Temkin;H. Harris;S. Gangopadhyay;L. Xie;M. White
影响因子：
4
作者：
M. Visokay;J. J. Chambers-J.;A. Rotondaro;A. Shanware;L. Colombo
通讯作者：
M. Visokay;J. J. Chambers-J.;A. Rotondaro;A. Shanware;L. Colombo
影响因子：
4
作者：
M. Cho;K. Chung;C. Whang;D. Ko;J. H. Lee;N. Lee
通讯作者：
M. Cho;K. Chung;C. Whang;D. Ko;J. H. Lee;N. Lee
DOI：
10.1063/1.2177385
发表时间：
2006-02
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
Jongwoo Choi;R. Puthenkovilakam;Jane P. Chang
通讯作者：
Jongwoo Choi;R. Puthenkovilakam;Jane P. Chang