Growth of GaN films by alternate source gas supply hot-mesh CVD method
Growth of GaN films by alternate source gas supply hot-mesh CVD method
复制标题
交替源气体供应热网CVD法生长GaN薄膜
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Yasui.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Komae;T. Saitou;M. Suemitsu;T. Ito;T. Endoh;H. Nakazawa;Y. Narita;M. Takata;T. Akahane;K. Yasui.
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用于在 (100) GaAs 上生长 GaN 薄膜的热网 CVD
影响因子：
2.1
作者：
K. Yasui;Mitsuyoshi Ishibashi;Yoshiaki Taima;T. Akahane
通讯作者：
T. Akahane
具有 γ-Al2O3(111) 外延中间层的 Si(111) 上 GaN 有机金属气相外延
影响因子：
1.8
作者：
A. Wakahara;H. Oishi;H. Okada;A. Yoshida;Y. Koji;M. Ishida
通讯作者：
M. Ishida
影响因子：
1.8
作者：
Kwon, MS;Cho, SI
通讯作者：
Cho, SI
通过选择性 MOVPE 在 (1 1 1)Si 衬底上生长无裂纹的 GaN 晶体
影响因子：
1.8
作者：
Y. Honda;Y. Kuroiwa;M. Yamaguchi;N. Sawaki
通讯作者：
N. Sawaki
通过金属有机气相外延控制 Si 表面原子构型在 Si(111) 衬底上直接生长 GaN
影响因子：
1.5
作者：
K. Takemoto;H. Murakami;T. Iwamoto;Yuriko Matsuo;Y. Kangawa;Y. Kumagai;A. Koukitu
通讯作者：
A. Koukitu