Progress and Future Challenges in SiC MOSFETs
Progress and Future Challenges in SiC MOSFETs
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SiC MOSFET 的进展和未来挑战
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and M. Kaneko
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Kimoto;K. Tachiki;K. Ito;K. Mikami;and M. Kaneko
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Tsunenobu Kimoto：“高压 Au/6H-SiC 肖特基势垒二极管”Inst.Phys.Conf.Ser.137。
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
通讯作者：
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影响因子：
4.9
作者：
H. Miyake;T. Okuda;H. Niwa;T. Kimoto;J. Suda
通讯作者：
H. Miyake;T. Okuda;H. Niwa;T. Kimoto;J. Suda
实际温度下 SiC (0001)/SiO2 系统中碳缺陷的结构和能量学：SiC、SiO2 及其界面处的缺陷
影响因子：
3.2
作者：
Kobayashi Takuma;Matsushita Yu-ichiro
通讯作者：
Matsushita Yu-ichiro
影响因子：
4
作者：
Danno, Katsunori;Nakamura, Daisuke;Kimoto, Tsunenobu
通讯作者：
Kimoto, Tsunenobu
影响因子：
3.2
作者：
Negoro, Y;Katsumoto, K;Matsunami, H
通讯作者：
Matsunami, H