Improved Electrical Performance of Multilayer MoS2 Transistor With NH3-Annealed ALD HfTiO Gate Dielectric
Improved Electrical Performance of Multilayer MoS2 Transistor With NH3-Annealed ALD HfTiO Gate Dielectric
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使用 NH3 退火 ALD HfTiO 栅极电介质改善多层 MoS2 晶体管的电气性能
DOI：
10.1109/ted.2017.2650920
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发表时间：
2017-03
影响因子：
3.1
通讯作者：
Tang Wing-Man
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wen Ming;Xu Jingping;Liu Lu;Lai Pui-To;Tang Wing-Man
通过高k栅介质的屏蔽作用可以大大提高MoS2晶体管的载流子迁移率。因此，在本文中，原子层沉积的 HfTiO 在不同环境（N2、O2 和 NH
The carrier mobility of MoS2 transistors can be greatly improved by the screening effect of high-k gate dielectric. Therefore, in this paper, atomic layer deposited HfTiO annealed in different ambients (N2, O2, and NH
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通讯作者：
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DOI：
10.1116/1.4898117
发表时间：
2014-10
期刊：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
影响因子：
--
作者：
R. Yang;Xu-Qian Zheng;Zenghui Wang;Christopher J. Miller;P. Feng
通讯作者：
R. Yang;Xu-Qian Zheng;Zenghui Wang;Christopher J. Miller;P. Feng