Thermally grown GeO<inf>2</inf> on epitaxial Ge on Si(001) substrate
Thermally grown GeO<inf>2</inf> on epitaxial Ge on Si(001) substrate
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Si(001) 衬底上外延 Ge 上热生长的 GeO<inf>2</inf>
DOI：
10.1109/ulis.2013.6523510
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Casteleiro C
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Casteleiro C
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HfO2-Ge 金属-绝缘体-半导体电容器的固有载流子效应
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Dimoulas;G. Vellianitis;G. Mavrou;E. Evangelou;A. Sotiropoulos
通讯作者：
A. Sotiropoulos
外延生长工艺参数对硅钝化Ge pMOSFET 层特性和器件性能的影响
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
--
作者：
M. Caymax;F. Leys;J. Mitard;K. Martens;Lijun Yang;G. Pourtois;W. Vandervorst;M. Meuris;R. Loo
通讯作者：
R. Loo
采用 HfO2 栅极电介质的 65 nm 应变 Ge p 沟道场效应晶体管具有高空穴迁移率
影响因子：
1.5
作者：
J. Mitard;B. D. Jaeger;G. Eneman;A. Dobbie;M. Myronov;M. Kobayashi;J. Geypen;H. Bender;B. Vincent;R. Krom;J. Franco;G. Winderickx;E. Vrancken;W. Vanherle;Wei;J. Tseng;R. Loo;K. Meyer;M. Caymax;L. Pantisano;D. Leadley;M. Meuris;P. Absil;S. Biesemans;T. Hoffmann
通讯作者：
T. Hoffmann
影响因子：
2.3
作者：
C. Lee;T. Tabata;T. Nishimura;K. Nagashio;K. Kita;A. Toriumi
通讯作者：
C. Lee;T. Tabata;T. Nishimura;K. Nagashio;K. Kita;A. Toriumi
GeO2/Ge 结构中 GeO 解吸的 180 同位素示踪
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
S.Wang;K.Kita;T.Nishimura;K.Nagashio;A.Toriumi
通讯作者：
A.Toriumi