Simulation study of GaN-based HFETs with graded AlGaN barrier
Simulation study of GaN-based HFETs with graded AlGaN barrier
复制标题
具有梯度 AlGaN 势垒的 GaN 基 HFET 的仿真研究
DOI：
10.1016/j.sse.2015.04.003
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发表时间：
2015-07
影响因子：
1.7
通讯作者：
Shujun Cai
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xin Tan;Xubo Song;Jiayun Yin;Shujun Cai
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影响因子：
1.7
作者：
Xingye Zhou;Zhihong Feng;Li Wang;Yuangang Wang;Y. Lv;S. Dun;S. Cai
通讯作者：
Xingye Zhou;Zhihong Feng;Li Wang;Yuangang Wang;Y. Lv;S. Dun;S. Cai
影响因子：
4.9
作者：
Kuzmík, J
通讯作者：
Kuzmík, J
DOI：
10.1007/978-3-319-97604-4
发表时间：
2019
期刊：
Springer Proceedings in Physics
影响因子：
--
作者：
Ravi Sharma;D. S. Rawal
通讯作者：
Ravi Sharma;D. S. Rawal
影响因子：
1.7
作者：
Shi Li-Yang;Shen Bo;Yang Jianchang;Wang Junxi;Wang Ping
通讯作者：
Shi Li-Yang;Shen Bo;Yang Jianchang;Wang Junxi;Wang Ping
影响因子：
3.1
作者：
Meneghini, Matteo;Ronchi, Nicolo;Zanoni, Enrico
通讯作者：
Zanoni, Enrico