Evolution of photoresist layer structure and surface morphology under fluorocarbon‐based plasma exposure
Evolution of photoresist layer structure and surface morphology under fluorocarbon‐based plasma exposure
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氟碳等离子体曝光下光刻胶层结构和表面形貌的演变
DOI：
10.1002/ppap.201900026
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发表时间：
2019
影响因子：
3.5
通讯作者：
Oehrlein, Gottlieb S.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Pranda, Adam;Gutierrez Razo, Sandra A.;Fourkas, John T.;Oehrlein, Gottlieb S.
在等离子体蚀刻期间光致抗蚀剂材料的离子轰击导致表面致密的无定形碳（DAC）层的形成，其有助于抗蚀刻性和表面粗糙度的发展。真实的-时间椭圆偏振测量/分析揭示了含C4 F8的等离子体与Ar-等离子体形成的DAC层相互作用，以通过氟的FC沉积/扩散到表面中产生改性的DAC/氟碳（FC）层。经由改性和离子轰击的DAC层的耗尽导致主体层的蚀刻速率增加。随着改性表面层的形成，观察到表面粗糙度降低的显著降低。这些发现提供了一个了解的机制，原子层蚀刻过程中的光致抗蚀剂材料。
Ion bombardment of photoresist materials during plasma etching results in the formation of a surface dense amorphous carbon (DAC) layer that contributes to both etch resistance and the development of surface roughness. Real‐time ellipsometric measurements/analysis reveals that a C4F8‐containing plasma interacts with an Ar‐plasma‐formed DAC layer to produce a modified DAC/fluorocarbon (FC) layer by FC deposition/diffusion of fluorine into the surface. The depletion of the DAC layer via modification and ion bombardment causes the etch rate of the bulk layer to increase. As the modified surface layer is formed, a noticeable decrease in surface roughness decrease is observed. These findings provide an understanding of the mechanisms of atomic layer etching processes in photoresist materials.
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