High-fluence Ga-implanted silicon—The effect of annealing and cover layers
High-fluence Ga-implanted silicon—The effect of annealing and cover layers
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高通量Ga注入硅退火和覆盖层的影响
DOI：
10.1063/1.4887450
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发表时间：
2014
影响因子：
3.2
通讯作者：
Skorupa
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Fiedler;Hübner;Voelskow;Germer;Schmidt;Skorupa
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基于金属氧化物半导体结构的铕注入发光体的异常磨损现象
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
L. Rebohle;J. Lehmann;S. Prucnal;A. Nazarov;I. Tyagulskii;S. I. Tyagulskii;A. Kanjilal;M. Voelskow;D. Grambole;W. Skorupa;M. Helm
通讯作者：
M. Helm
注入 Ga 的 Si 的离子束退火
DOI：
--
发表时间：
1989
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Withrow;O. W. Holland;S. Pennycook
通讯作者：
S. Pennycook
DOI：
--
发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Fiory
通讯作者：
A. Fiory
砷和镓注入具有薄自然氧化膜的硅中的退火行为
DOI：
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发表时间：
1985
期刊：
影响因子：
--
作者：
K. Yokota;Susumu Tamura;S. Ishihara;I. Kimura
通讯作者：
I. Kimura
通过砷化镓上的氧化硅和氮化硅层的外扩散
DOI：
--
发表时间：
1970
期刊：
影响因子：
--
作者：
J. Gyulai;J. Mayer;I. V. Mitchell;V. Rodríguez
通讯作者：
V. Rodríguez