Ge fraction dependent improved thermal stability of in-situ doped boron in polycrystalline Si1-XGeX (0≦x≦0.5) films on SiON
Ge fraction dependent improved thermal stability of in-situ doped boron in polycrystalline Si1-XGeX (0≦x≦0.5) films on SiON
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SiON 上多晶 Si1-XGeX (0≤x≤0.5) 薄膜中原位掺杂硼的 Ge 分数依赖性改善热稳定性
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.miyao et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Miyao 他;M.Miyao 他;M.Miyao et al.;M.miyao et al.
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