Chemical vapor deposition of GaN films using gallium vapor as a gallium source on a c-plane sapphire substrate
Chemical vapor deposition of GaN films using gallium vapor as a gallium source on a c-plane sapphire substrate
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使用镓蒸气作为镓源在 c 面蓝宝石衬底上化学气相沉积 GaN 薄膜
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Kominami
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Hara;Y. Masuda;W. Kunieda;H. Kominami
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