Roles of carbon impurities and intrinsic nonradiative recombination centers on the carrier recombination processes of GaN crystals
Roles of carbon impurities and intrinsic nonradiative recombination centers on the carrier recombination processes of GaN crystals
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碳杂质和本征非辐射复合对 GaN 晶体载流子复合过程的影响
DOI：
10.7567/1882-0786/ab5adc
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发表时间：
2020
影响因子：
2.3
通讯作者：
and S. F. Chichibu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Kojima;F. Horikiri;Y. Narita;T. Yoshida;H. Fujikura;and S. F. Chichibu
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通讯作者：
H. Fujikura;Taichiro Konno;Takehiro Yoshida;F. Horikiri
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