High-performance non-volatile field-effect transistor memories using an amorphous oxide semiconductor and ferroelectric polymer
High-performance non-volatile field-effect transistor memories using an amorphous oxide semiconductor and ferroelectric polymer
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使用非晶氧化物半导体和铁电聚合物的高性能非易失性场效应晶体管存储器
DOI：
10.1039/c6tc01768a
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发表时间：
2016-08
影响因子：
6.4
通讯作者：
Li Yun
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang Yu;Kizu Takio;Song Lei;Zhang Yujia;Jiang Sai;Qian Jun;Wang Qijing;Shi Yi;Zheng Youdou;Nabatame Toshihide;Tsukagoshi Kazuhito;Li Yun
铁电场效应晶体管（Fe-FET）对于各种非易失性存储器装置应用是非常感兴趣的。采用聚偏氟乙烯-三氟乙烯（P（VDF-T））铁电聚合物的高性能顶栅Fe-FET存储器
Ferroelectric field-effect transistors (Fe-FETs) are of great interest for a variety of non-volatile memory device applications. High-performance top-gate Fe-FET memories using ferroelectric polymers of poly(vinylidene fluoride–trifluoroethylene) (P(VDF–T
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