Metallic conduction behavior in selenium-hyperdoped silicon
Metallic conduction behavior in selenium-hyperdoped silicon
复制标题
硒超掺杂硅中的金属导电行为
DOI：
10.1016/j.mssp.2013.09.001
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发表时间：
2014
影响因子：
4.1
通讯作者：
Lou, Shishu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Han, Peide;Liang, Peng;Xing, Yupeng;Lou, Shishu
采用离子注入结合炉内退火的方法，对超过平衡固溶极限的硒掺杂晶体硅进行了80-300 K的霍尔测量。硒掺杂层的自由载流子密度和片层电导率随注入剂量的变化而变化。在掺硒为7.4×1020/cm3的样品中观察到良好的金属导电行为。硅导带下Se杂质态的重叠可能是微观上的解释。
Hall measurements at 80–300 K are performed on crystalline silicon doped with selenium exceeding the equilibrium solid solubility limit using ion implantation combined with furnace annealing. The temperature dependence of free carrier density and sheet conductivity of the Se doping layer changes with implantation dose. Metallic conduction behavior is well observed in the sample doped with selenium to be 7.4×1020/cm3. The overlapping between Se impurity states below Si conduction band might give a microscopic explanation.
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S. H. Pan;D. Recht;S. Charnvanichborikarn;James S. Williams;M. Aziz
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