An effect of laser pre-annealing on the enhancement of light emission of Si nanocrystal thin film
An effect of laser pre-annealing on the enhancement of light emission of Si nanocrystal thin film
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激光预退火对Si纳米晶薄膜发光增强的影响
DOI：
10.1016/j.matlet.2012.08.037
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发表时间：
2012-12
影响因子：
3
通讯作者：
陆明
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
陆明
采用co2激光对SiO/Si多层薄膜进行点对点扫描，然后在1100℃的温度下进行热处理，形成相分离的Si纳米晶体（Si- ncs）。这种激光预退火处理可以将Si-NC的光致发光和电致发光强度提高约3倍。表征测量表明，这种增强是由于Si- nc产生了额外的成核位点，这抑制了大尺寸和低发光Si颗粒的形成，并增加了高发光Si- nc的密度。
A multilayered thin film of SiO/Si has been irradiated by CO2laser in a dot by dot scanning mode, followed by furnace thermal annealing at 1100°C to form Si nanocrystals (Si-NCs) via a phase separation process. Such a laser pre-annealing treatment could enhance the intensities of photoluminescence and electroluminescence of Si-NC by a factor of ∼3 for both. Characterization measurements show that the enhancements are due to the production of extra nucleation sites for Si-NCs, which suppresses the formation of large sized and poorly luminescent Si particles and increases the density of highly luminescent Si-NC.
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影响因子：
--
作者：
Li D;Chen YB;Ren Y;Zhu J;Zhao YY;Lu M
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Lu M
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Chun-Jung Lin;Gong-Ru Lin
通讯作者：
Chun-Jung Lin;Gong-Ru Lin
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作者：
Lin, Gong-Ru;Lin, Chun-Jung;Lin, Chi-Kuan
通讯作者：
Lin, Chi-Kuan
硅纳米晶掺杂 SiO2/Si 多层样品中 Si 的光致发光
DOI：
10.1016/j.apsusc.2011.06.068
发表时间：
2011-09
期刊：
Applied Surface Science (IF: 1.795)
影响因子：
--
作者：
Yong-bin Chen;陆明;Yong Ren;Xing-wang Zhang;You-yuan Zhao;Miao Zhang
通讯作者：
Miao Zhang
影响因子：
4
作者：
L. Yi;J. Heitmann;R. Scholz;M. Zacharias
通讯作者：
L. Yi;J. Heitmann;R. Scholz;M. Zacharias