Wet Chemical Etching of Antimonide-Based Infrared Materials
Wet Chemical Etching of Antimonide-Based Infrared Materials
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锑基红外材料的湿法化学蚀刻
DOI：
10.1088/0256-307x/32/10/107302
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发表时间：
2015-10
影响因子：
3.5
通讯作者：
Niu Zhi-Chuan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
He Zhen-Hong;Liao Yong-Ping;Wei Si-Hang;Niu Zhi-Chuan
研究了蚀刻的锑基红外材料的粗糙度和晶体取向选择性，并用于优化 InAs/GaSb 超晶格光电二极管的化学台面蚀刻工艺，以减少暗电流。所使用的蚀刻剂基于磷酸 (H3PO4)、柠檬酸 (C6H8O7) 和过氧化氢 (H2O2)。通过比较台面侧壁的粗糙度和刻蚀速率，找到优化的刻蚀剂，得到优化的中波长红外光电二极管，其R0A值为466 ωcm2，探测率为1.43 × 1011 cmHz1/2 W−1。晶体取向选择性可见于 InAs 蚀刻，也可见于 InAs/GaSb 超晶格湿法化学蚀刻工艺。
The roughness and the crystallographic orientation selectivity of etched antimonide-based infrared materials are examined and are used to optimize the chemical mesa etching process of the InAs/GaSb superlattice photodiode with the goal of reducing the dark current. The etchant used is based on phosphoric acid (H3PO4), citric acid (C6H8O7) and hydrogen peroxide (H2O2). The roughness of the mesa sidewalls and etching rates are compared and used to find an optimized etchant, with which we obtain optimized mid-wavelength infrared photodiodes possessing an R0A value of 466 ωcm2 and a detectivity of 1.43 × 1011 cmHz1/2 W−1. Crystallographic orientation selectivity is seen in InAs etching, and also is seen in the InAs/GaSb superlattice wet chemical etching process.
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DOI：
10.1117/12.810030
发表时间：
2009-01
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
E. Huang;B. Nguyen;D. Hoffman;P. Delaunay;M. Razeghi
通讯作者：
E. Huang;B. Nguyen;D. Hoffman;P. Delaunay;M. Razeghi
DOI：
10.1117/12.723730
发表时间：
2007-05
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
V. Nathan;M. Razeghi
通讯作者：
V. Nathan;M. Razeghi
DOI：
10.1117/12.850976
发表时间：
2010-04
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
A. Hood;A. Evans;A. Ikhlassi;G. Sullivan;E. Piquette;D. Lee;W. Tennant;I. Vurgaftman;C. Canedy;E. Jackson;J. Nolde;C. Yi;E. Aifer
通讯作者：
A. Hood;A. Evans;A. Ikhlassi;G. Sullivan;E. Piquette;D. Lee;W. Tennant;I. Vurgaftman;C. Canedy;E. Jackson;J. Nolde;C. Yi;E. Aifer
影响因子：
2.5
作者：
P. Delaunay;B. Nguyen;D. Hoffman;E. Huang;P. Manurkar;Simeon Bogdanov;M. Razeghi
通讯作者：
P. Delaunay;B. Nguyen;D. Hoffman;E. Huang;P. Manurkar;Simeon Bogdanov;M. Razeghi
影响因子：
5.1
作者：
W. Guowei;Xiang Wei;Xu Yingqiang;Zhang Liang;Peng Zhen-Yu;L. Yanqiu;Si Jun-jie;Wang Juan;Xing Junliang;Ren Zhengwei;Niu Zhi-chuan
通讯作者：
W. Guowei;Xiang Wei;Xu Yingqiang;Zhang Liang;Peng Zhen-Yu;L. Yanqiu;Si Jun-jie;Wang Juan;Xing Junliang;Ren Zhengwei;Niu Zhi-chuan